Nvis 6512A Techbook para Comprender las Características de MOSFET, FET y UJT

Nvis 6512A Techbook para Comprender las Características de MOSFET, FET y UJT es una placa experimental compacta y lista para usar. Esto es útil para que los estudiantes tracen diferentes características de MOSFET de canal n, FET de canal ny UJT y para comprender el funcionamiento de estos dispositivos de electrónica de potencia en diversas regiones. Al usar este producto, el alumno también puede evaluar los parámetros FET (resistencia al drenaje, transconductancia y factor de amplificación) y los parámetros UJT (resistencia entre bases y relación de separación intrínseca). La fuente de alimentación de DC incorporada, el voltímetro y el amperímetro con características DPM hacen que este producto sea fácil de operar y se puede usar como sistema independiente. La placa permite al alumno construir circuitos utilizando componentes externos junto con recursos a bordo

Nvis 6512A Techbook para Comprender las Características de MOSFET, FET y UJT es una plataforma ideal para mejorar la educación, la capacitación, las habilidades y el desarrollo entre nuestras mentes jóvenes.

- MainsSupply: 90-230 V, 50 Hz
           -- DC Fixed Power Supply: -5 V,+15 V,+35 V
           -- DC Variable Power Supply: 1.5 V to 14 V
                                                      1.5 V to 34 V

- Voltmeter: 0-200 V

- Ammeter: 0-200 mA

- BreadBoard:
           -- Dimension (mm): 175 x 61 x 10
           -- Distribution strips: 2
           -- Distribution holes: 200
           -- Terminal Strips: 1
           -- Terminal holes: 640

- Resistor Bank: M.F.R. 100E 1W (3 Nos.)
                           M.F.R. 470E 1W (3 Nos.)
                           M.F.R. 1K 1W (3 Nos.)

- Variable Resistances: 5 KΩ Ten turn Potentiometer (1 No.)
                                     10KΩ Ten turn Potentiometer (1No.)
                                     5KΩ Single turn Potentiometer (1No.)

- Fuse: 500 mA, slow blow

- Dimensions (mm): 350 x D 280 x H 55

- Estudiar y trazar las características de drenaje del MOSFET de n canales
- Estudiar y graficar las características de transferencia de n canal MOSFET
- Estudiar y graficar las características V-I de JFET. Evaluación de los siguientes parámetros de JFET: DC Resistencia al drenaje, transconductancia, factor de amplificación.
- Trazar las características VI de UJT. Evaluación de los siguientes parámetros de UJT: relación de separación intrínseca, resistencia entre bases.